Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 内存密度 | 8192 bit |
| 内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 52 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.17 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| Base Number Matches | 1 |
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