4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14
4000/14000/40000 系列, HEX 1输入 非门, PDSO14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.9662 mm |
| 负载电容(CL) | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 280 ns |
| 传播延迟(tpd) | 280 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | YES |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.9662 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| HCF40106BC1 | HCC40106BF | HCF40106B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14 | 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14 | 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14 |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
| 功能数量 | 6 | 6 | 6 |
| 端子数量 | 20 | 14 | 14 |
| 表面贴装 | YES | NO | Yes |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | 双 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
| 零件包装代码 | QLCC | DIP | - |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-20 | FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 | - |
| 针数 | 20 | 14 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | - |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 | R-GDIP-T14 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 长度 | 8.9662 mm | 19.43 mm | - |
| 负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | - |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | - |
| 输入次数 | 1 | 1 | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | - |
| 封装代码 | QCCJ | DIP | - |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ | DIP14,.3 | - |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V | - |
| 传播延迟(tpd) | 280 ns | 280 ns | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 施密特触发器 | YES | YES | - |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | 5.08 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V | 18 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 8.9662 mm | 7.62 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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