FIFO REGISTER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 370 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
| 周期时间 | 333.33 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.9662 mm |
| 内存密度 | 64 bi |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 16 words |
| 字数代码 | 16 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16X4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.9662 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| HCF40105BC1 | HCF40105 | HCC40105BF | HCF40105BEY | HCF40105B | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO REGISTER | FIFO REGISTER | FIFO REGISTER | FIFO REGISTER | FIFO REGISTER |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
| 零件包装代码 | QLCC | - | DIP | DIP | - |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-20 | - | DIP, DIP16,.3 | PLASTIC, DIP-16 | - |
| 针数 | 20 | - | 16 | 16 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | - | _compli | _compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | - |
| 最长访问时间 | 370 ns | - | 370 ns | 370 ns | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz | - | 3 MHz | 3 MHz | - |
| 周期时间 | 333.33 ns | - | 333.33 ns | 125 ns | - |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 | - | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 | - |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | - |
| 内存密度 | 64 bi | - | 64 bi | 64 bi | - |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | - | OTHER FIFO | OTHER FIFO | - |
| 内存宽度 | 4 | - | 4 | 4 | - |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 20 | - | 16 | 16 | - |
| 字数 | 16 words | - | 16 words | 16 words | - |
| 字数代码 | 16 | - | 16 | 16 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 125 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -55 °C | -55 °C | - |
| 组织 | 16X4 | - | 16X4 | 16X4 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 可输出 | YES | - | YES | YES | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | QCCJ | - | DIP | DIP | - |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ | - | DIP16,.3 | DIP16,.3 | - |
| 封装形状 | SQUARE | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | - | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 3/15 V | - | 3/18 V | 3/15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | - | 5.08 mm | 5.1 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V | - | 18 V | 20 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | - | NO | NO | - |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | MILITARY | MILITARY | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | J BEND | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 端子位置 | QUAD | - | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 8.9662 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
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