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1N5453B

产品描述Diode VAR Cap Single 30V 56pF 2-Pin DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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1N5453B概述

Diode VAR Cap Single 30V 56pF 2-Pin DO-7

1N5453B规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

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<£e.mi-Con<LjLckoi ^Product*,
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
1N5439
thru
1N5456
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212) 227-6005
FAX: (973) 376-8960
HIGH Q - VOLTAGE VARIABLE CAPACITORS
MINIMUM
QUALITY
FACTOR
.
1N5461
thru
1N5476
•»
CAPACITANCE
at Vr=4 Vdc
4
TUNING RATIO
2 V to 30 V
MIN
2.3
2.4
2.5
MAX
3. 1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
O .
)
O
.01 / MAX. 1
2.718 DIA. |
y"\ -7
Hj4AV
P
1 MHz
ill
1—
Q
@
4 vDC
f=50 MHz
TYPE
1N5439
1N5440
1N5441
i fittest A O
pF
3.3
4.7
6.8
4
1
-°°° MAX
25.40
MAX
'
7 N5*T*r<£
1N5443
1N5444
1N5445
1N5446
1N5447
1N5448
1N5449
1N5450
1N5451
1N5452
1N5453
1N5454
1N5455
1N5456
1N546 1
1N5462
1N5463
1N5464
1N5465
1N5466
1N5467
1N5468
1N5469
1N5470
1N6571
1N5472
1N5473
1N5474
1N5475
1N5476
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.O
6.8
8.2
10,0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
450
450
450
450
400
400
400
350
350
350
350
350
300
250
200
1 75
1 75
1 75
600
600
550
550
550
500
500
500
500
500
450
400
300
250
225
200
|
2.5
2.6
2.6
2.6
2.6
2.6
Polarity
[
Bond ->U
-
(Cothode)
0.300 ...
v
7^20 "**'
Q 1
1
2 6
£. >
\J
2.6
2.6
2.6
2.6
2.7
2.7
2.7
2.7
2,8
2.8
2.8
2.8
2.9
2.9
2,9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.' 9
2.9
2.9
2,9
3.1
3.2
3. 2
3.2
3.2
3.2
3.3
3.3
3.3
3.3
3.1
3. 1
3.1
3.2
3.1
3.1
3, 1
3.2
3,2
3.2
3.2
3.2
3,3
3.3
3.3
3.3
0.018/0.022
0.457/0.559
Diameter
1
'
000
MAX
25.40
MAX
'
^
I
«_ 1
Ail Dimensions
in
DO-
7
*
INCH
MM
Package Style
Reverse Breakdown Voltage
at lr=10ua
D.C. Power Dissipation at 25
C
Operating Temperature
Storage Temperature
Reverse Current at 25 Vdc
Reverse Current at 25 Vdc (150 C)
Capacitance Tolerance
Standard Device
Suffix A
Suffix B
Suffix C
Suffix D
+/-
DO-7
30 Volts Mln
400 mW Max
-65 to
+150
C
-65 to
+150
C
O.OZua Max
20 ua Max
20%
+/- 10%
+/-
5%
+/-
+/-
2%
1%
\ Seini-l niiduUori rcf«rv«* the right (o changf lest condilinm. parameter limits ;md packug* dimension* without notice
liitbrmiilion funrnhcd by NI Scmi-C onJuclon
a
belwved lu b* both uctufnJt ,iml rditihKt .11 the tint* of guinf to press. However
itrini C < tiJiiUnri luiiiiwi i in (tvpiiiisibilily t'nf :iny ern<n <<r uinivsitmj Jisvuvurtd in in i'-i« NI Scini-4. iiulin.hr* ci
• i i • ri ii-tfi I" v t i ' t \l hi.-i-ihtcU iretiirrcnth<frrc|)lncini»i'ri(ert

 
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