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HBF422

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共3页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HBF422概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HBF422规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
元件数量1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)60 MHz

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6404
Issued Date : 1993.03.18
Revised Date : 2002.04.18
Page No. : 1/3
HBF422
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Video B-class Power stages in TV-receivers
Absolute Maximum Ratings
TO-92
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -55 ~ +150
°C
Junction Temperature .................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................ 830 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
VCBO Collector to Base Voltage ....................................................................................... 250 V
VCEO Collector to Emitter Voltage .................................................................................... 250 V
VEBO Emitter to Base Voltage .............................................................................................. 5 V
IC Collector Current ......................................................................................................... 50 mA
Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*hFE
fT
Min.
250
250
5
-
-
-
50
60
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
10
0.6
-
-
Unit
V
V
V
nA
uA
V
MHz
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=5V
IC=30mA, IB=3mA
VCE=20V, IC=25mA
IE=10mA, VCE=10V, f=100MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
HBF422
HSMC Product Specification

 
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