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HBD678

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共2页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HBD678概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HBD678规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)750
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)40 W
表面贴装NO

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6625-A
Issued Date : 1994.10.04
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/2
HBD678
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HBD678 is designed for use as output devices in
complementary general purpose amplifier applications.
Features
High Current Gain
Monolithic Constructor
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -50 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 40 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................... 60 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5 V
IC Collector Current .............................................................................................................. 4 A
IB Base Current .................................................................................................................... 1 A
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(on)
*hFE
Min.
60
60
5
-
-
-
-
-
750
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
200
200
2
2.5
2.5
-
Unit
V
V
V
uA
uA
mA
V
V
Test Conditions
IC=1mA
IC=50mA
IE=1mA
VCB=30V
VCB=60V
VBE=5V
IC=1.5A, IB=30mA
IC=1.5A, VCE=3V
IC=1.5A, VCE=3V
*Pulse Test : Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
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