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HAT2033R

产品描述Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HAT2033R概述

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

HAT2033R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
Objectid1496219157
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
compound_id10947920
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.053 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

HAT2033R相似产品对比

HAT2033R HAT2033 HAT2033RJ
描述 Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOT - SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 - 8
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 7 A - 7 A
最大漏极电流 (ID) 7 A - 7 A
最大漏源导通电阻 0.053 Ω - 0.053 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 1 - 1
端子数量 8 - 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W - 2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A - 56 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

 
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