HAT2028RJ,HAT2028RJ pdf中文资料,HAT2028RJ引脚图,HAT2028RJ电路-Datasheet-电子工程世界

HAT2028RJ: 产品描述Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小57KB，共10页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HAT2028RJ概述

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4 A
最大漏极电流 (ID)	4 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

	HAT2028RJ	HAT2028R
描述	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4 A	4 A
最大漏极电流 (ID)	4 A	4 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	2	2
端子数量	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2 W	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A	32 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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