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BSZ034N04LSATMA1

产品描述MOSFET MV POWER MOS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSZ034N04LSATMA1在线购买

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BSZ034N04LSATMA1概述

MOSFET MV POWER MOS

BSZ034N04LSATMA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
雪崩能效等级(Eas)70 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.0046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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