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1N5235B-TR

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N5235B-TR概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK

1N5235B-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e2
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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1N5221 to 1N5267
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
FEATURES
• Silicon planar power Zener diodes
• Standard Zener voltage tolerance is ± 5 % with
a “B” suffix in the ordering code (e.g.: 1N5221B),
suffix “C” is ± 2 % tolerance
• These diodes are also available in MiniMELF
case with the type designation TZM5221 to
TZM5267, SOT-23 case with the type
designations MMBZ5225 to MMBZ5267 and
SOD-123 case with the types designations MMSZ5225 to
MMSZ5267
• AEC-Q101 qualified
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER
V
Z
range nom.
Test current I
ZT
V
Z
specification
Int. construction
VALUE
2.4 to 75
1.7 to 20
Thermal equilibrium
Single
UNIT
V
mA
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Voltage stabilization
ORDERING INFORMATION
DEVICE NAME
1N5221B to 1N5267B
1N5221C to 1N5267C
1N5221B to 1N5267B
1N5221C to 1N5267C
ORDERING CODE
1N5221B to 1N5267B-series-TR
10 000 per 13" reel
1N5221C to 1N5267C-series-TR
30 000/box
1N5221B to 1N5267B-series-TAP
1N5221C to 1N5267C-series-TAP
10 000 per ammopack
(52 mm tape)
TAPED UNITS PER REEL
MINIMUM ORDER QUANTITY
PACKAGE
PACKAGE NAME
DO-35
WEIGHT
125 mg
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY
FLAMMABILITY RATING
LEVEL
UL 94 V-0
MSL level 1
(according J-STD-020)
SOLDERING
CONDITIONS
260 °C/10 s at terminals
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Power dissipation
Zener current
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Forward voltage (max.)
I
F
= 200 mA
I = 4 mm, T
L
= constant
TEST CONDITION
T
L
25 °C
SYMBOL
P
tot
I
Z
R
thJA
T
j
T
stg
V
F
VALUE
500
P
tot
/V
Z
300
175
-65 to +175
1.1
UNIT
mW
mA
K/W
°C
°C
V
Rev. 2.1, 08-Sep-14
Document Number: 85588
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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