Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1 V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 0.15 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| IMBD4148-HE3-18 | IMBD4148-HE3-08 | IMBD4148-G3-18 | IMBD4148-V-GS08 | RG1P-2183-CT101 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 218000ohm, 2000V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 155 °C |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | CYLINDRICAL PACKAGE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | Axial |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - | - |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | - |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 | - |
| Factory Lead Time | 12 weeks | 12 weeks | 12 weeks | - | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - |
| 最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | - | 1 V | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 | - |
| 最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A | 0.5 A | - | 0.5 A | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
| 最大输出电流 | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | - |
| 最大功率耗散 | 0.35 W | 0.35 W | 0.35 W | 0.35 W | - |
| 参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | - | - |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | - |
| 最大反向恢复时间 | 0.004 µs | 0.004 µs | 0.004 µs | 0.004 µs | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 | NOT SPECIFIED | 40 | - |
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