EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最大压摆率 | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | SOFTWARE |
| M93C86-MN6 | M93C66-BN6 | M93C56-WMN6 | M93C86-WMN6 | M93C56-WBN6P | M93C56-WMN6T | M93C56-WBN6 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16) | EEPROM | EEPROM 2K (256x8 or 128x16) | EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16) | EEPROM EEPROM | EEPROM 2K (256x8 or 128x16) | EEPROM 2K (256x8 or 128x16) |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP | SOIC | SOIC | DIP | SOIC | DIP |
| 包装说明 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 | PLASTIC, DIP-8 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 | SOP, SOP8,.25 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 | PLASTIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 备用内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e3 | e0 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm | 9.27 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | 9.27 mm | 4.9 mm | 9.27 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 4096 bit | 2048 bit | 16384 bit | 2048 bit | 2048 bit | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 1024 words | 256 words | 128 words | 1024 words | 128 words | 128 words | 128 words |
| 字数代码 | 1000 | 256 | 128 | 1000 | 128 | 128 | 128 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 1KX16 | 256X16 | 128X16 | 1KX16 | 128X16 | 128X16 | 128X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP | SOP | SOP | DIP | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 5.33 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 5.33 mm | 1.75 mm | 5.33 mm |
| 串行总线类型 | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000005 A | 0.000002 A | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 7.62 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| 写保护 | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD | Matte Tin (Sn) | - | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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