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CMPTA94-TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP HV Trans 400Vcbo 400Vceo 6.0ebo 350mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小393KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA94-TR概述

Bipolar Transistors - BJT PNP HV Trans 400Vcbo 400Vceo 6.0ebo 350mW

CMPTA94-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Collector- Base Voltage VCBO400 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage500 mV
Maximum DC Collector Current300 mA
Gain Bandwidth Product fT20 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min50 at 10 mA at 10 V
DC Current Gain hFE Max200 at 10 mA at 10 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPTA94
SURFACE MOUNT
HIGH VOLTAGE
PNP SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA94 type
is a surface mount epoxy molded PNP silicon planar
epitaxial transistor designed for extremely high voltage
applications.
MARKING CODE: C94
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
ICES
IEBO
BVCBO
BVCES
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
400
400
6.0
300
350
-65 to +150
357
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VCB=350V
VCE=350V
VBE=4.0V
IC=100µA
400
IC=100µA
400
IC=1.0mA
400
IE=10µA
6.0
IC=1.0mA, IB=0.1mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=10V, IC=1.0mA
40
VCE=10V, IC=10mA
50
VCE=10V, IC=50mA
45
VCE=10V, IC=100mA
20
VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz
20
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
MAX
100
500
100
0.40
0.50
0.75
0.75
200
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
7.0
130
MHz
pF
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