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SI4947ADY

产品描述MOSFET 30V 3.9A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4947ADY概述

MOSFET 30V 3.9A 2W

SI4947ADY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
表面贴装YES

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Si4947ADY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 30
R
DS(on)
(Ω)
0.080 at V
GS
= - 10 V
0.135 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 3.9
- 3.0
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
D
1
D
2
P-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
Ordering Information:
Si4947ADY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4947ADY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
- 3.9
- 3.1
- 20
- 1.0
1.2
0.76
W
°C
10 s
- 30
± 20
- 3.0
- 2.4
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
54
87
34
Maximum
62.5
105
45
°C/W
Unit
Document Number: 71101
S09-0870-Rev. D, 18-May-09
www.vishay.com
1

SI4947ADY相似产品对比

SI4947ADY SI4947ADY-E3
描述 MOSFET 30V 3.9A 2W MOSFET 30V 3.9A 2W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.2 W 2 W
表面贴装 YES YES

 
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