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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MURT10060R
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MURT10060R

产品描述600V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小353KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准  
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MURT10060R概述

600V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package

MURT10060R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid8183984640
包装说明R-PUFM-X3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL6.12
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流1500 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.11 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MURT10040 thru MURT10060R
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 400 V to 600 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated base plate
• Not ESD Sensitive
Three Tower Package
V
RRM
= 400 V - 600 V
I
F(AV)
= 100 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MURT10040(R)
400
283
400
-55 to 150
-55 to 150
MURT10060(R)
600
424
600
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per pkg)
Peak forward surge current (per leg)
Maximum instantaneous forward
voltage (per leg)
Maximum instantaneous reverse
current at rated DC blocking voltage
(per leg)
Maximum reverse recovery time (per
leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 140 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 50 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MURT10040(R)
100
1500
1.3
25
1
90
MURT10060(R)
100
1500
1.7
25
1
110
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance, junction
- case (per leg)
R
ΘJC
1.0
1.0
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MURT10060R相似产品对比

MURT10060R MURT10040
描述 600V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package 400V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Objectid 8183984640 8183984619
包装说明 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
YTEOL 6.12 5.92
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.3 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流 1500 A 1500 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 50 A 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V
最大反向电流 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.11 µs 0.09 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER

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