MJD31CT4: 产品描述Isolated DC/DC Converters 4.5-5.5Vin 5Vout 200mA 1W Iso SIP; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小384KB，共13页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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MJD31CT4概述

Isolated DC/DC Converters 4.5-5.5Vin 5Vout 200mA 1W Iso SIP

MJD31CT4规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	STMicroelectronics
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-252
包装说明	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	8 weeks
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	15 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.2 V
Base Number Matches	1

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MJD31C

Low voltage NPN power transistor

Datasheet

−

production data

Features

■

Surface-mounting TO-252 power package in

tape and reel

Complementary to the PNP type MJD32C

TAB

Application

■

DPAK

TO-252

General purpose linear and switching

equipment

Description

The device is manufactured in planar technology

with “base island” layout. The resulting transistor

shows exceptional high gain performance

coupled with very low saturation voltage.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Device summary

Marking

MJD31C

Package

DPAK

Packaging

Tape and reel

Order code

MJD31CT4

June 2012

This is information on a product in full production.

Doc ID 3543 Rev 5

1/13

www.st.com

MJD31CT4相似产品对比

	MJD31CT4	MJD31C
描述	Isolated DC/DC Converters 4.5-5.5Vin 5Vout 200mA 1W Iso SIP	Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Brand Name	STMicroelectronics	STMicroelectronics
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	TO-252	TO-252
包装说明	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	DPAK-2/3
针数	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10
JEDEC-95代码	TO-252	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT APPLICABLE
极性/信道类型	PNP	NPN
功耗环境最大值	15 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT APPLICABLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
VCEsat-Max	1.2 V	1.2 V

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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