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SI6465DQ-T1-E3

产品描述MOSFET 8V 8.8A 1.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6465DQ-T1-E3在线购买

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SI6465DQ-T1-E3概述

MOSFET 8V 8.8A 1.5W

SI6465DQ-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (ID)8.8 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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Si6465DQ
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
-8
R
DS(on)
(Ω)
0.012 at V
GS
= - 4.5 V
0.017 at V
GS
= - 2.5 V
0.025 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
± 8.8
± 7.4
± 6.0
FEATURES
Halogen-free
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
RoHS
COMPLIANT
S*
TSSOP-8
G
D
S
S
G
1
2
3
4
Top View
D
Ordering Information:
Si6465DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
8
D
S
S
D
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common
Si6465DQ
7
6
5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
Maximum Power Dissipation
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
-8
±8
± 8.8
± 7.1
± 30
- 1.5
1.5
1.0
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t
10 s.
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
90
Maximum
83
Unit
°C/W
Document Number: 70812
S-80682-Rev. D, 31-Mar-08
www.vishay.com
1

SI6465DQ-T1-E3相似产品对比

SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1 SI6465DQ-T1-GE3
描述 MOSFET 8V 8.8A 1.5W MOSFET 8V 8.8A 1.5W MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 ,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0 e3
峰值回流温度(摄氏度) 260 240 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) TIN LEAD PURE MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 30
零件包装代码 TSSOP TSSOP -
针数 8 8 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最小漏源击穿电压 8 V 8 V -
最大漏极电流 (ID) 8.8 A 8.8 A -
最大漏源导通电阻 0.012 Ω 0.012 Ω -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 -
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 1 -
端子数量 8 8 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A 30 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
S 参数说明
本帖最后由 fish001 于 2017-11-14 22:17 编辑 微波系统主要研究信号和能量两大问题:信号问题主要是研究幅频和相频特性;能量问题主要是研究能量如何有效地传输。微波系统是分布参数电 ......
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