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JANS2N3636UB

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小166KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANS2N3636UB概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

JANS2N3636UB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078551684
包装说明CERAMIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压175 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-CDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/357
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)650 ns
最大开启时间(吨)200 ns

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/357
DEVICES
LEVELS
2N3634
2N3634L
2N3634UB
2N3635
2N3635L
2N3635UB
2N3636
2N3636L
2N3636UB
2N3637
2N3637L
2N3637UB
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
UB:
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25°C
@ T
C
= +25°C
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
**
T
J
, T
stg
2N3634*
2N3635*
140
140
5.0
1.0
1.0
5.0
1.5
-65 to +200
2N3636*
2N3637*
175
175
5.0
1.0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
W
°C
TO-5*
2N3634L, 2N3635L
2N3636L, 2N3637L
Operating & Storage Junction Temperature Range
* Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding
devices.
** Consult 19500/357 for De-Rating curves.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 100Vdc
V
CB
= 140Vdc
V
CB
= 175Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 3.0Vdc
V
EB
= 5.0Vdc
Collector-Emitter cutoff Current
V
CE
= 100Vdc
V
(BR)CEO
140
175
100
10
10
50
10
10
Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
TO-39* (TO-205AD)
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
I
CBO
ηAdc
μAdc
μAdc
3 PIN
ηAdc
μAdc
μAdc
2N3634UB, 2N3635UB
2N3636UB, 2N3637UB
I
EBO
I
CEO
T4-LDS-0156 Rev. 2 (101452)
Page 1 of 5
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