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NSL12AWT1

产品描述Bipolar Transistors - BJT 3A 12V Switching PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSL12AWT1概述

Bipolar Transistors - BJT 3A 12V Switching PNP

NSL12AWT1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-88
包装说明SC-88, 6 PIN
针数6
制造商包装代码419B-02
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.65 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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NSL12AWT1G
High Current Surface Mount
PNP Silicon Low V
CE(sat)
Transistor for Battery
Operated Applications
Features
http://onsemi.com
High Current Capability (3 A)
High Power Handling (Up to 650 mW)
Low V
CE(s)
(170 mV Typical @ 1 A)
Small Size
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
12 VOLTS
3.0 AMPS
PNP TRANSISTOR
COLLECTOR
1, 2, 5, 6
3
BASE
4
EMITTER
Benefits
High Specific Current and Power Capability Reduces Required PCB Area
Reduced Parasitic Losses Increases Battery Life
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Continuous
Collector Current
Peak
Electrostatic Discharge
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
Max
−12
−12
−5.0
−2.0
−3.0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
HBM Class 3
MM Class C
1
SC−88/SOT−363
CASE 419B
STYLE 20
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Total Device Dissipation
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance,
Junction−to−Lead 6
Total Device Dissipation
(Single Pulse < 10 sec.)
Junction and Storage
Temperature Range
1. FR−4, Minimum Pad, 1 oz Coverage
2. FR−4, 1″ Pad, 1 oz Coverage
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
MARKING DIAGRAM
Symbol
P
D
(Note 1)
Max
450
3.6
R
qJA
(Note 1)
P
D
(Note 2)
275
650
5.2
R
qJA
(Note 2)
R
qJL
P
D
Single
T
J
, T
stg
192
105
1.4
−55
to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
W
°C
M
G
1
= Date Code
= Pb−Free Package
6
11 MG
G
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
October, 2009
Rev. 3
1
Publication Order Number:
NSL12AW/D
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