Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 29-11 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
BC182A | BC182B | BC182BRL1G | |
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描述 | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 29-11 | 29-11 | 29-11 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | - | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | - | 50 V |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 | - | 180 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | - | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | - | e1 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | - | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | - | 260 |
极性/信道类型 | NPN | - | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | - | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 40 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | - | 200 MHz |
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