Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 25 weeks |
Samacsys Description | TL062CD, Dual Operational Amplifier 1MHz, 8-Pin SO |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA |
标称共模抑制比 | 76 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 20000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 1.5 V/us |
标称压摆率 | 3.5 V/us |
最大压摆率 | 0.5 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
最小电压增益 | 3000 |
宽度 | 3.9 mm |
TL062CD | TL062IN | TL062BCD | TL062ACD | TL062IDT | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET | USB Interface IC USB HS to Dual UART/ FIFO/SPI/JTAG/I2C | |
Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC | DIP | SOIC | SOIC | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA | 0.01 µA | 0.007 µA | 0.007 µA | 0.01 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
标称共模抑制比 | 76 dB | 86 dB | 86 dB | 86 dB | 86 dB |
频率补偿 | YES | YES | YES | YES | YES |
最大输入失调电压 | 20000 µV | 9000 µV | 5000 µV | 7500 µV | 9000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 | e3 | e4 | e4 | e4 |
长度 | 4.9 mm | 9.27 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
低-偏置 | YES | YES | YES | YES | YES |
低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO |
微功率 | YES | YES | YES | YES | YES |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C | 105 °C | 70 °C | 70 °C | 105 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | DIP | SOP | SOP | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | 260 | 260 |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 5.33 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
最小摆率 | 1.5 V/us | 1.5 V/us | 1.5 V/us | 1.5 V/us | 1.5 V/us |
标称压摆率 | 3.5 V/us | 3.5 V/us | 3.5 V/us | 3.5 V/us | 3.5 V/us |
最大压摆率 | 0.5 mA | 0.5 mA | 0.5 mA | 0.5 mA | 0.5 mA |
供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) - annealed | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED | 30 | 30 | 30 |
标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz |
最小电压增益 | 3000 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 |
宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
Factory Lead Time | 25 weeks | - | 43 weeks 2 days | - | 10 weeks |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
TL062CDT | ST(意法半导体) | 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:200uA 压摆率(SR):3.5 V/us 电源电压:6V ~ 36V, ±3V ~ 18V 双JFET输入运算放大器 |
TL062G-D08-T | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | DUAL OP-AMP, 20000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, DIP8 |
TL062-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
TL062L-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
TL062G-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | DUAL OP-AMP, 20000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
TL062L-D08-T | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
TL062-D08-T | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
TL062CN | ST(意法半导体) | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power JFET |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved