Rectifiers Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | DO-4, 1 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 18 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | CATHODE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.26 V |
| JEDEC-95代码 | DO-203AA |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 280 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 12 A |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V |
| 最大反向电流 | 12000 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | SOLDER LUG |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| VS-12F120M | VS-12F40 | VS-12F10 | VS-12F60M | VS-12FR100M | P-2010K2183ABWS | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifiers Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3 | Rectifiers 400 Volt 12 Amp | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100V 4.7uF X7S 1206 10% | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Fixed Resistor, Thin Film, 0.8W, 218000ohm, 200V, 0.05% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DO-4, 1 PIN | DO-4, 1 PIN | DO-4, 1 PIN | DO-4, 1 PIN | DO-4, 1 PIN | CHIP |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e0 |
| 端子数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 155 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -55 °C |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | SMT |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | - |
| 外壳连接 | CATHODE | CATHODE | CATHODE | CATHODE | ANODE | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - |
| 最大正向电压 (VF) | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V | - |
| JEDEC-95代码 | DO-203AA | DO-203AA | DO-203AA | DO-203AA | DO-203AA | - |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-D1 | O-MUPM-D1 | O-MUPM-D1 | O-MUPM-D1 | O-MUPM-D1 | - |
| 最大非重复峰值正向电流 | 280 A | 280 A | 280 A | 280 A | 280 A | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 最大输出电流 | 12 A | 12 A | 12 A | 12 A | 12 A | - |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V | 400 V | 100 V | 600 V | 1000 V | - |
| 最大反向电流 | 12000 µA | 12000 µA | 12000 µA | 12000 µA | 12000 µA | - |
| 端子形式 | SOLDER LUG | SOLDER LUG | SOLDER LUG | SOLDER LUG | SOLDER LUG | - |
| 端子位置 | UPPER | UPPER | UPPER | UPPER | UPPER | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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