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SI9407AEY-E3

产品描述MOSFET 60V 3.5A 3W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI9407AEY-E3概述

MOSFET 60V 3.5A 3W

SI9407AEY-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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Si9407AEY
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
(Ω)
0.120 at V
GS
= - 10 V
0.15 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 3.5
± 3.1
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
Ordering Information:
Si9407AEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si9407AEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
± 3.5
± 3.0
± 30
- 2.5
3.0
2.1
- 55 to 175
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
50
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70742
S09-1341-Rev. E, 13-Jul-09
www.vishay.com
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