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SI4892DY

产品描述MOSFET 30V 12.4A 3.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4892DY概述

MOSFET 30V 12.4A 3.1W

SI4892DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.1 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si4892DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.012 at V
GS
= 10 V
0.020 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
12.4
9.6
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• High Efficiency PWM Optimized
• 100 % R
g
Tested
• 100 % UIS Tested
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si4892DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4892DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
8
7
6
5
D
D
D
D
N-Channel MOSFET
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
3.1
2.0
- 55 to 150
2.60
20
20
1.6
1.0
mJ
W
°C
12.4
9.9
± 50
1.3
10 s
30
± 20
8.8
7.0
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
34
70
17
Maximum
40
80
20
°C/W
Unit
Document Number: 71407
S09-0221-Rev. G, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI4892DY相似产品对比

SI4892DY SI4892DY-T1-E3 SI4892DY-T1-GE3
描述 MOSFET 30V 12.4A 3.1W MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant unknown unknown
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.8 A 8.8 A 8.8 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.1 W 3.1 W 3.1 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) MATTE TIN
是否无铅 - 不含铅 不含铅
零件包装代码 - SOT SOT
针数 - 8 8
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最小漏源击穿电压 - 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) - 8.8 A 8.8 A
最大漏源导通电阻 - 0.012 Ω 0.012 Ω
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 8 8
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 40
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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