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JANTX2N3019S

产品描述Bipolar Transistors - BJT JANTX2N3019S
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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JANTX2N3019S概述

Bipolar Transistors - BJT JANTX2N3019S

JANTX2N3019S规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-39
包装说明CASE 205AB-01, 3 PIN
针数3
制造商包装代码205AB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/391
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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2N3019, 2N3019S, 2N3700
Low Power Transistors
NPN Silicon
Features
MIL−PRF−19500/391 Qualified
Available as JAN, JANTX, and JANTXV
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Collector
−Emitter
Voltage
Collector
−Base
Voltage
Emitter
−Base
Voltage
Collector Current
Continuous
Total Device Dissipation @ T
A
= 25°C
2N3019, 2N3019S
2N3700
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
2N3019, 2N3019S
2N3700
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
Value
80
140
7.0
1.0
800
500
5.0
1.0
−65
to
+200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
mW
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
P
T
W
T
J
, T
stg
°C
TO−5
CASE 205AA
STYLE 1
2N3019
TO−39
CASE 205AB
STYLE 1
2N3019S
TO−18
CASE 206AA
STYLE 1
2N3700
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2N3019, 2N3019S
2N3700
Thermal Resistance, Junction to Case
2N3019, 2N3019S
2N3700
Symbol
R
qJA
Max
195
325
30
150
Unit
°C/W
R
qJC
°C/W
ORDERING INFORMATION
Device
JAN2N3019
JANTX2N3019
JANTXV2N3019
JAN2N3019S
JANTX2N3019S
JANTXV2N3019S
JAN2N3700
JANTX2N3700
JANTXV2N3700
TO−18
Bulk
TO−39
Bulk
TO−5
Bulk
Package
Shipping
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
August, 2012
Rev. 2
1
Publication Order Number:
2N3019/D

JANTX2N3019S相似产品对比

JANTX2N3019S JAN2N3019S JANTX2N3700
描述 Bipolar Transistors - BJT JANTX2N3019S Bipolar Transistors - BJT JAN2N3019S Bipolar Transistors - BJT JANTX2N3700
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 含铅 含铅 含铅
零件包装代码 TO-39 TO-39 BCY
包装说明 CASE 205AB-01, 3 PIN CASE 205AB-01, 3 PIN CASE 206AA-01, 3 PIN
针数 3 3 3
制造商包装代码 205AB 205AB 206AA
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A -
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 -
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 175 °C 175 °C -
封装主体材料 METAL METAL -
封装形状 ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
参考标准 MIL-19500/391 MIL-19500/391 -
表面贴装 NO NO -
端子形式 WIRE WIRE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz -

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