DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | TSOP2, |
Reach Compliance Code | compliant |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
长度 | 22.22 mm |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
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