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SI4435DY-T1-A-E3

产品描述MOSFET 30V 8A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4435DY-T1-A-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI4435DY-T1-A-E3概述

MOSFET 30V 8A 2.5W

SI4435DY-T1-A-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装YES

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Si4435DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
–30
30
FEATURES
I
D
(A)
–8.0
–6.0
r
DS(on)
(W)
0.02 @ V
GS
= –10 V
0.035 @ V
GS
= –4.5 V
D
Lead (Pb)-Free Version is RoHS
Compliant
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
G
D
D
D
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si4435DY-T1–REV A
Si4435DY-T1–A–E3 (Lead (Pb)-Free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_ UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
stg
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
Symbol
V
DS
V
GS
Limit
–30
"20
–8.0
–6.4
–50
–2.1
2.5
1.6
–55 to 150
Unit
V
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board, t
v
10 sec.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Symbol
R
thJA
Limit
50
Unit
_C/W
Document Number: 70149
S-51472—Rev. G, 01-Aug-05
www.vishay.com
1

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