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GBL04

产品描述Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小331KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准
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GBL04概述

Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier

GBL04规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSIP-T4
Reach Compliance Codecompliant
最小击穿电压400 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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GBL005 thru GBL04
Single Phase Glass Passivated
Silicon Bridge Rectifier
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• This series is UL listed under the Recognized
• Glass passivated chip junction
• High case dielectric strength
• Typical I
R
less than 0,1 A
• High surge current capability
• Ideal for printed circuit boards
• Not ESD Sensitive
GBL Package
V
RRM
= 50 V - 400 V
I
O
= 4 A
Mechanical Data
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750 Method 2026.
Weight: 0.071 oz, 2.0 g
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
GBL005
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
GBL01
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
GBL02
200
140
200
-55 to 150
-55 to 150
GBL04
400
280
400
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameter
Maximum average forward rectified
current
Peak forward surge current
Maximum instantaneous forward
voltage drop per leg
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per leg
Rating for fusing
Symbol
I
O
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
j
R
ΘJA
R
ΘJL
(Note 1)
(Note 2)
Conditions
T
c
= 50 °C (Note 1)
T
c
= 40 °C (Note 2)
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
F
= 4 A
T
a
= 25 °C
T
a
= 125 °C
t < 8.3 ms
GBL005
4.0
3.0
135
1.1
5
500
75
95
22
3.5
GBL01
4.0
3.0
135
1.1
5
500
75
95
22
3.5
GBL02
4.0
3.0
135
1.1
5
500
75
95
22
3.5
GBL04
4.0
3.0
135
1.1
5
500
75
95
22
3.5
Unit
A
A
V
μA
A
2
sec
pF
°C/W
Typical junction capacitance per
leg (Note 3)
Typical thermal resistance per leg
1
2
3
- Unit mounted on 3.0" x 3.0" x 0.11" (75 mm x 75 mm x 3 mm) Al plate
- Unit mounted on P.C.B. At 0.375" (9.5 mm) lead length and 0.5" x 0.5" (12 mm x
- Measured at 1.0 MHz and applied reverse bias of 4.0 V
Apr 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
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