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BYG23M-M3-TR3

产品描述Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYG23M-M3-TR3在线购买

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BYG23M-M3-TR3概述

Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD

BYG23M-M3-TR3规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Rectifiers
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
封装 / 箱体
Package / Case
SMA
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
产品
Product
Rectifiers
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
7500

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BYG23M
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated pellet chip junction
• Low reverse current
• High reverse voltage
• Ultra fast reverse recovery time
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SMA
(DO-214AC)
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
t
rr
V
F
E
R
T
J
max.
Package
Diode variations
1.5 A
1000 V
30 A
5.0 μA
75 ns
1.7 V
20 mJ
150 °C
SMA (DO-214AC)
Single
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectification and freewheeling
application in switching mode converters and inverters for
consumer, computer, automotive, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
SMA (DO-214AC)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and
AEC-Q101 qualified (“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Average forward current at T
A
= 65 °C
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive
(inductive load switch off) I
(BR)R
= 1 A, T
J
= 25 °C
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
R
T
J
, T
STG
SYMBOL
BYG23M
BYG23M
1000
1.5
30
20
-55 to +150
V
A
A
mJ
°C
UNIT
Revision: 27-Apr-17
Document Number: 89477
1
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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