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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> Jantx2N6306
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Jantx2N6306

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jantx2N6306在线购买

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Jantx2N6306概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Jantx2N6306规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-3
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)4
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/498D
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/498
Devices
2N6306
2N6308
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
2N6306 2N6308
Collector-Emitter Voltage
250
350
V
CEO
Collector-Base Voltage
500
700
V
CBO
Emitter-Base Voltage
8.0
V
EBO
Collector Current
8.0
I
C
Base Current
4.0
I
B
0 (1)
Total Power Dissipation
@ T
C
= +25 C
125
P
T
0 (1)
@ T
C
= +100 C
62.5
Operating & Storage Temperature Range
-65 to +200
T
op,
T
stg
0
0
1) Between T
C
= +25 C and T
C
= +175 C, linear derating factor average = 0.833 W/
0
C
Symbol
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0
C
TO-3 (TO-204AA)*
*See Appendix A for Package
Outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 100 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 500 Vdc; V
BE
= 1.5 Vdc
V
CE
= 700 Vdc; V
BE
= 1.5 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 250 Vdc
V
CE
= 350 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 8 Vdc
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
V
(BR)
CEO
250
350
5.0
5.0
50
50
5.0
Vdc
I
CEX
µAdc
I
CEO
I
EBO
µAdc
µAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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Jantx2N6306相似产品对比

Jantx2N6306 2N6306 Jan2N6306 Jantxv2N6306
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 250 V 250 V 250 V 250 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 4 15 4 4
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-3 TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/498D MIL-19500/498 MIL-19500/498D MIL-19500/498D
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 TO-3, 2 PIN - TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN

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