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MMBT2222AK

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN EPITAXIAL SILICON
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小377KB,共11页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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MMBT2222AK概述

Bipolar Transistors - BJT NPN EPITAXIAL SILICON

MMBT2222AK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns
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