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1N6098

产品描述Thick Film Resistors - SMD 100Mohms 1% 100ppm 0.3watt 3-side term
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小347KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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1N6098概述

Thick Film Resistors - SMD 100Mohms 1% 100ppm 0.3watt 3-side term

1N6098规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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1N6097 thru 1N6098R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 30 V to 40V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-5 Package
V
RRM
= 30 V - 40 V
I
F(AV)
= 50 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
("R" devices have leads reversed)
1N6097 (R)
30
21
30
-55 to 150
-55 to 150
1N6098 (R)
40
28
40
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum instantaneous
forward voltage (per leg)
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
= 125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 50 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100°C
T
j
= 150 °C
1N6097 (R)
50
800
0.7
1
10
20
1N6098 (R)
50
800
0.7
1
10
20
Unit
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
Mounting torque
R
ΘJC
Inch ponds
(in-pb)
1.30
30
1.30
30
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
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