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RN739DT146

产品描述PIN Diodes HIGH FREQUENCY
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小307KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RN739DT146概述

PIN Diodes HIGH FREQUENCY

RN739DT146规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
应用ATTENUATOR
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.4 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻7 Ω
二极管类型PIN DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压50 V
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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RN739F
Diodes
PIN diode
RN739F
Applications
VHF / UHF band variable attenuators and AGC
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
1.3
2.0±0.2
0.3±0.1
各リードとも
Each lead has same dimension
同寸法
(3)
Features
1) Small mold type. (UMD3)
2) Low high-frequency forward resistance (r
F
)
/ low capacitance (C
T
).
(2)
(0.65)
1.25±0.1
2.1±0.1
0.9MIN.
0.65
0.8MIN.
0½0.1
0.1Min
(1)
(0.65)
0.7±0.1
0.9±0.1
UMD3
1.3±0.1
Construction
Silicon diffusion junction
Structure
ROHM : UMD3
JEDEC : SOT-323
JEITA : SC-70
dot (year week factory)
Taping specification
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
1.75±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
2.4±0.1
5.5±0.2
2.25±0.1
     0
4.0±0.1
φ0.5±0.05
0½0.1
2.4±0.1
1.25±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
I
F
P
d
Tj
Tstg
Limits
50
50
100
125
-55 to +125
Unit
V
mA
mW
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Forward operating resistance
V
F
I
R
Ct
Rf
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max.
1
0.1
0.4
7.0
Unit
V
µA
pF
Ω
Conditions
I
F
=50mA
V
R
=50V
V
R
=35V , f=1MHz
IF=10½A,f=100MHz
1.6
0.15±0.05
1/2
CMD文件
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