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FS150R17PE4

产品描述IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小698KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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FS150R17PE4概述

IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT

FS150R17PE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
针数20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X13
元件数量6
端子数量13
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)835 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1240 ns
标称接通时间 (ton)280 ns
VCEsat-Max2.3 V

FS150R17PE4相似产品对比

FS150R17PE4 FS150R17PE4BOSA1
描述 IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT IGBT MODULE VCES 650V 150A
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
针数 20 20
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
集电极-发射极最大电压 1700 V 1700 V
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X13 R-XUFM-X13
元件数量 6 6
端子数量 13 13
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 1240 ns 1240 ns
标称接通时间 (ton) 280 ns 280 ns

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