IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 150 A |
集电极-发射极最大电压 | 1700 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X13 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 13 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 835 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1240 ns |
标称接通时间 (ton) | 280 ns |
VCEsat-Max | 2.3 V |
FS150R17PE4 | FS150R17PE4BOSA1 | |
---|---|---|
描述 | IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | MODULE | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 |
针数 | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
集电极-发射极最大电压 | 1700 V | 1700 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X13 | R-XUFM-X13 |
元件数量 | 6 | 6 |
端子数量 | 13 | 13 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1240 ns | 1240 ns |
标称接通时间 (ton) | 280 ns | 280 ns |
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