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IRFR24N15DTRLP

产品描述MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小110KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRFR24N15DTRLP概述

MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak

IRFR24N15DTRLP规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage150 V
Id - Continuous Drain Current24 A
Rds On - Drain-Source Resistance95 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge30 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
Fall Time15 ns
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
140 W
Rise Time53 ns
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time19 ns
Typical Turn-On Delay Time11 ns
宽度
Width
6.22 mm
单位重量
Unit Weight
0.012346 oz

IRFR24N15DTRLP相似产品对比

IRFR24N15DTRLP IRFR24N15DTRRP
描述 MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak MOSFET D-PAK
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3 TO-252-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V 150 V
Id - Continuous Drain Current 24 A 24 A
Rds On - Drain-Source Resistance 95 mOhms 95 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V 30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C + 175 C
Configuration Single Single
Channel Mode Enhancement Enhancement
Fall Time 15 ns 15 ns
高度
Height
2.3 mm 2.3 mm
长度
Length
6.5 mm 6.5 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
140 W 140 W
Rise Time 53 ns 53 ns
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 19 ns 19 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns 11 ns
宽度
Width
6.22 mm 6.22 mm
单位重量
Unit Weight
0.012346 oz 0.012346 oz

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