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RB070M-30TR

产品描述ARM Microcontrollers - MCU
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共7页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB070M-30TR概述

ARM Microcontrollers - MCU

RB070M-30TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.43 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.5 A
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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Schottky Barrier Diode
RB070M-30
Data
Sheet
lApplications
General rectification
(Common cathode dual chip)
lDimensions
(Unit : mm)
1.6±0.1
0.1±0.1
    0.05
lLand
size figure
(Unit : mm)
1.2
0.85
lConstruction
Silicon epitaxial planar
ec
N
ew om
m
D
es en
i g de
ns d
f
0.9±0.1
0.8±0.1
lFeatures
1) Small power mold type.
(PMDU)
2) Low IR
3) High reliability
lStructure
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
Manufacture Date
lTaping
specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ
1.55±0.05
f1.550.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
1.81±0.1
4.0±0.1
φ
f1.00.1
1.0±0.1
ot
lAbsolute
maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
V
R
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Io
Forward current surge peak (60Hz・1cyc) I
FSM
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave
Limits
30
30
1.5
30
150
-40
to
+150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
N
lElectrical
characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
R
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
1
V
F
2
I
R
Min.
-
-
-
Typ.
0.37
0.44
9.0
Max.
0.43
0.49
50
Unit
V
V
μA
Conditions
I
F
=0.5A
I
F
=1.5A
V
R
=30V
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2015.09 - Rev.D
3.71±0.1
3.710.08
1.5MAX
or
PMDU
0.25±0.05
0.12
3.5±0.2
2.6±0.1
3.05
1
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