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FMMT625QTA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小265KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
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FMMT625QTA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

FMMT625QTA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)135 MHz
Base Number Matches1

FMMT625QTA相似产品对比

FMMT625QTA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes Incorporated
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 150 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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晶体管元件材料 SILICON
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