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LCMXO2-1200ZE-1TG100C

产品描述DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR
产品类别可编程逻辑器件    可编程逻辑   
制造商Lattice(莱迪斯)
官网地址http://www.latticesemi.com
标准
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C概述

DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR

LCMXO2-1200ZE-1TG100C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Lattice(莱迪斯)
零件包装代码QFP
包装说明QFP, QFP100,.63SQ,20
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率133 MHz
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
输入次数80
逻辑单元数量1280
输出次数80
端子数量100
最高工作温度85 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.2 V
可编程逻辑类型FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态Not Qualified
最大供电电压1.26 V
最小供电电压1.14 V
标称供电电压1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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