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GQM2195C2A1R8BB01D

产品描述RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
产品类别无源元件    电容器   
文件大小609KB,共29页
制造商Murata(村田)
官网地址https://www.murata.com
标准
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GQM2195C2A1R8BB01D概述

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt

GQM2195C2A1R8BB01D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Murata(村田)
包装说明, 0805
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
电容0.0000018 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度0.85 mm
JESD-609代码e3
长度2 mm
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差5.56%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法TR, PAPER, 7 INCH
正容差5.56%
额定(直流)电压(URdc)100 V
尺寸代码0805
表面贴装YES
温度特性代码C0G
温度系数-/+30ppm/Cel ppm/°C
端子面层Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度1.25 mm
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