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GS832236B-133I

产品描述512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209
产品类别存储   
文件大小821KB,共41页
制造商ETC
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GS832236B-133I概述

512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209

512K × 72 高速缓存 静态随机存储器, 6.5 ns, PBGA209

GS832236B-133I规格参数

参数名称属性值
最大时钟频率250 MHz
功能数量1
端子数量209
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压2.5 V
最小供电/工作电压2.3 V
最大供电/工作电压2.7 V
加工封装描述14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
each_compliYes
状态NRFND
sub_categorySRAMs
ccess_time_max6.5 ns
i_o_typeCOMMON
jesd_30_codeR-PBGA-B209
存储密度3.77E7 bi
内存IC类型CACHE SRAM
内存宽度72
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
位数524288 words
位数512K
操作模式SYNCHRONOUS
组织512KX72
输出特性3-STATE
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLBGA
ckage_equivalence_codeBGA209,11X19,40
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_2.5/3.3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.7 mm
standby_current_max0.0800 Am
standby_voltage_mi2.38 V
最大供电电压0.4000 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层NOT SPECIFIED
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子位置BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
length22 mm
width14 mm
dditional_featureFLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
SD卡中文数据手册
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