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GS832218: 产品描述512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209; 产品类别存储; 文件大小821KB，共41页; 制造商ETC

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GS832218概述

512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209

512K × 72 高速缓存静态随机存储器, 6.5 ns, PBGA209

参数名称	属性值
最大时钟频率	250 MHz
功能数量	1
端子数量	209
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	2.5 V
最小供电/工作电压	2.3 V
最大供电/工作电压	2.7 V
加工封装描述	14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
each_compli	Yes
状态	NRFND
sub_category	SRAMs
ccess_time_max	6.5 ns
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-PBGA-B209
存储密度	3.77E7 bi
内存IC类型	CACHE SRAM
内存宽度	72
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
位数	524288 words
位数	512K
操作模式	SYNCHRONOUS
组织	512KX72
输出特性	3-STATE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	LBGA
ckage_equivalence_code	BGA209,11X19,40
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_	2.5/3.3
qualification_status	COMMERCIAL
seated_height_max	1.7 mm
standby_current_max	0.0800 Am
standby_voltage_mi	2.38 V
最大供电电压	0.4000 Am
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	BALL
端子间距	1 mm
端子位置	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
length	22 mm
width	14 mm
dditional_feature	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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