GS72108ATP-10I,GS72108ATP-10I pdf中文资料,GS72108ATP-10I引脚图,GS72108ATP-10I电路-Datasheet-电子工程世界

GS72108ATP-10I: 产品描述256K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44; 产品类别存储; 文件大小216KB，共12页; 制造商ETC

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GS72108ATP-10I概述

256K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44

256K × 8 标准存储器, 12 ns, PDSO44

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	44
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3.3 V
最小供电/工作电压	3 V
最大供电/工作电压	3.6 V
加工封装描述	0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
ccess_time_max	12 ns
jesd_30_code	R-PDSO-G44
jesd_609_code	e3
存储密度	2.10E6 bi
内存IC类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
moisture_sensitivity_level	3
位数	262144 words
位数	256K
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	256KX8
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TSOP2
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	260
qualification_status	COMMERCIAL
seated_height_max	1.2 mm
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	PURE MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子间距	0.8000 mm
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
length	18.41 mm
width	10.16 mm

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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