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M27W512-200K6E

产品描述512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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文件大小138KB,共21页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M27W512-200K6E概述

512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

M27W512-200K6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFJ
包装说明PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
长度13.97 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1
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