电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GS71116ATP-12

产品描述64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
产品类别存储   
文件大小273KB,共16页
制造商ETC
下载文档 详细参数 全文预览

GS71116ATP-12概述

64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44

64K × 16 标准存储器, 10 ns, PDSO44

GS71116ATP-12规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量44
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压3 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间10 ns
加工封装描述0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.8000 mm
端子涂层PURE MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度16
组织64K X 16
存储密度1.05E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数65536 words
位数64K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

文档预览

下载PDF文档
GS71116ATP/J/U
SOJ, TSOP, FP-BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns
• CMOS low power operation: 145/125/100/85 mA at
minimum cycle time
• Single 3.3 V power supply
• All inputs and outputs are TTL-compatible
• Byte control
• Fully static operation
• Industrial Temperature Option:
–40°
to 85°C
• Package line up
J:
400 mil, 44-pin SOJ package
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package
GP: Pb-Free 400 mil, 3244-pin TSOP Type II package
U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array package
GU: Pb-Free 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array
package
• Pb-Free TSOP-II and FP-BGA packages available
64K x 16
1Mb Asynchronous SRAM
7, 8, 10, 12 ns
3.3 V V
DD
Center V
DD
and V
SS
SOJ 64K x 16-Pin Configuration
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
Top view
44-pin
SOJ
Description
The GS71116A is a high speed CMOS static RAM organized
as 65,536-words by 16-bits. Static design eliminates the need
for external clocks or timing strobes. Operating on a single
3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-
compatible. The GS71116A is available in a 6 mm x 8 mm
Fine Pitch BGA package, as well as in 400 mil SOJ and 400
mil TSOP Type-II packages.
Pin Descriptions
Symbol
A
0
–A
15
DQ
1
–DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
Package J
Description
Address input
Data input/output
Chip enable input
Lower byte enable input
(DQ1 to DQ8)
Upper byte enable input
(DQ9 to DQ16)
Write enable input
Output enable input
+3.3 V power supply
Ground
No connect
Rev: 1.07 12/2004
1/16
© 2001, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

推荐资源

兄弟们,新年快乐。
明天就放假了,放假就不能上网了,所以提前祝我们这里所有的兄弟姐妹们新年快乐!!! 呵呵,貌似是个水贴,但要把祝福送给所有人,所以就发了,但愿不要被管理员删哦,呵呵。 新年快乐!!!...
fengxin 电子竞赛
xilinx ise 10.0 编译如下错误,请问这错在什么地方?
The logic for <fout> does not match a known FF or Latch template. The description style you are using to describe a register or latch is not supported in the current software r ......
eeleader-mcu FPGA/CPLD
MLX90251线性霍尔效应传感器
MLX90251线性霍尔效应传感器为我们深圳市粤科源科技有限公司专营热销推荐产品之一,我们与原厂商合作,拥有大量的库存,供货稳定,型号齐全,精准!MLX90251线性霍尔效应传感器品质卓越,价格实 ......
yky007 汽车电子
单片机、ARM、FPGA 、嵌入式的区别与特点
单片机的特点: (1)受集成度限制,片内存储器容量较小,一般内ROM:8KB以下; (2)内RAM:256KB以内。 (3)可靠性高 (4)易扩展 (5)控制功能强 (6)易于开发 ARM的特点: (1) ......
嵌入式技术 单片机
【 ST NUCLEO-G071RB测评】_01_初识
本帖最后由 lvxinn2006 于 2019-1-11 08:53 编辑 本次活动测评开发板ST NUCLEO-G071RB由ST意法半导体提供,感谢意法半导体对EEWorld测评的支持!https://www.stmcu.com.cn/Product/pro_detai ......
lvxinn2006 stm32/stm8
为什么要用分离元件做前级放大呢?
本帖最后由 飞絮 于 2021-5-18 17:27 编辑 最近测绘一款仪器,发现前置放大电路是用分离元件3DJ6和9012组成的,用于放大uV级的正弦波,这个放大电路的输出才进入运放,我不能理解,难道分离 ......
飞絮 模拟电子

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1457  684  2506  1968  732  30  14  51  40  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved