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PTFC260362SCV1R250XTMA1

产品描述RF MOSFET Transistors RFP-LD10M
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小202KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PTFC260362SCV1R250XTMA1在线购买

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PTFC260362SCV1R250XTMA1概述

RF MOSFET Transistors RFP-LD10M

PTFC260362SCV1R250XTMA1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
H-37248-4
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Factory Pack Quantitysxerbavtabcwcudbvvsedtatesfrzbzstf250

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PTFC260362SC
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
32 W, 28 V, 2496 – 2690 MHz
Description
The PTFC260362SC is a 32-watt LDMOS FET intended for use in
multi-standard cellular power amplifier applications in the 2496 to 2690
MHz frequency band. Features include input and output matching,
high gain and a thermally-enhanced package with earless flange.
Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
PTFC260362SC
Package H-37248H-4 (formed leads)
Features
Two-carrier WCDMA Drive-up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 320 mA, ƒ = 2495 MHz
3GPP WCDMA signal, 8 dB PAR,
10 MHz carrier spacing, 3.84 MHz BW
20
19
60
50
Input matching
Typical pulsed CW performance, 2690 MHz, 28 V
(10 µs pulse width, 10% duty cycle, class AB test)
- Output power at P
1dB
= 33 W
- Efficiency = 52%
- Gain = 17.8 dB
Typical single-carrier WCDMA performance,
2690 MHz, 28 V, 10 dB PAR
- Output power = 8 W avg
- Gain = 18.6 dB
- Efficiency = 30%
- ACPR = –35 dBc
Capable of handling 10:1 VSWR at 30 V, 32 W (CW)
output power
Integrated ESD protection: Human Body Model
Class 1B (per JESD22-A114)
Pb-free and RoHS compliant
Gain
Gain (dB)
18
17
16
15
40
30
20
10
Drain Efficiency (%)
Efficiency
14
26
30
34
38
42
c260362sc-gr1a
0
46
Output Power (dBm)
RF Characteristics
Two-carrier WCDMA Specifications
(device with flat leads tested in Infineon production test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 300 mA, P
OUT
= 8 W avg, ƒ
1
= 2680, ƒ
2
= 2690
WCDMA signal: 3GPP, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF probability
Characteristic
Linear Gain
Drain Efficiency
Intermodulation Distortion
Symbol
G
ps
Min
17.5
31
Typ
18.5
32
–34
Max
–31
Unit
dB
%
dBc
η
D
IMD
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Data Sheet
1 of 10
Rev. 03, 2014-06-26
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