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CMKT3946-TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT Dual - NPN/PNP Switching
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小466KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMKT3946-TR概述

Bipolar Transistors - BJT Dual - NPN/PNP Switching

CMKT3946-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSIn Transition
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-363-6
Transistor PolarityNPN, PNP
ConfigurationDual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Collector- Base Voltage VCBO60 V, 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V, 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.3 V, 0.4 V
Maximum DC Collector Current200 mA
Gain Bandwidth Product fT250 MHz, 300 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000265 oz

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CMKT3904 NPN/NPN
CMKT3906 PNP/PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL SMALL SIGNAL
SWITCHING TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT3904 (two
single NPN) and CMKT3906 (two single PNP) are silicon
transistors in a space saving SOT-363 package, designed
for small signal general purpose amplifier and switching
applications.
MARKING CODES: CMKT3904: K04
CMKT3906: K06
SOT-363 CASE
FEATURES:
• Two NPN (3904) or Two PNP (3906)
Transistors in a single package
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN
60
40
6.0
PNP
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
200
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
-
50
-
50
IBL
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
-
-
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.0
8.0
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
250
-
-
-
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.5
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R6 (23-September 2013)

 
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