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CBTV4020EE-G-T

产品描述Encoders, Decoders, Multiplexers u0026 Demultiplexers 20-BIT DDR SDRAM 2 : 1 MUX
产品类别半导体    逻辑   
文件大小89KB,共17页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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CBTV4020EE-G-T概述

Encoders, Decoders, Multiplexers u0026 Demultiplexers 20-BIT DDR SDRAM 2 : 1 MUX

CBTV4020EE-G-T规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHSDetailsdezbfzeqtbtrteu
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
2.7 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.3 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TFBGA-72
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
Cut Tape
FunctionDDR SDRAM 2:1 Multiplexer
高度
Height
0.8 mm
长度
Length
6 mm
工作电源电压
Operating Supply Voltage
2.5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
宽度
Width
6 mm

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CBTV4020
20-bit DDR SDRAM 2 : 1 MUX
Rev. 03 — 4 April 2008
Product data sheet
1. General description
This 20-bit bus switch is designed for 2.3 V to 2.7 V V
DD
operation and SSTL_2 select
input levels.
Each host port pin is multiplexed to one of two DIMM port pins. When the SEL pin is HIGH
the A DIMM port is turned on and the B DIMM port is off. The ON-state connects the host
port to the DIMM port through a 20
nominal series resistance. When the port is off a
high-impedance state exists between the Host and disabled DIMM. The DIMM port is
terminated with a 100
resistor to ground. When the SEL pin is LOW the B DIMM port is
turned on and the A DIMM port is off.
The part incorporates a very low crosstalk design. It has a very low skew between outputs
(< 50 ps) and low skew (< 50 ps) for rising and falling edges. The part has optimal
performance in DDR data bus applications.
Each switch has been optimized for connection to 1-bank or 2-bank DIMMs.
The low internal RC time constant of the switch (20
Ω ×
7 pF) allows data transfer to be
made with minimal propagation delay.
The CBTV4020 is characterized for operation from 0
°C
to +85
°C.
2. Features
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
SEL signal is SSTL_2 compatible
Optimized for use in Double Data Rate (DDR) SDRAM applications
Designed to be used with 400 Mbit/s 200 MHz DDR data bus
Switch ON resistance is designed to eliminate the need for series resistor to DDR
SDRAM
R
ON
~ 20
Internal 100
pull-down resistors on DIMM side when path is disabled
Low differential skew
Matched rise/fall slew rate
Low crosstalk
One DIMM select control line
Latch-up protection exceeds 500 mA per JESD78
ESD protection exceeds 1500 V HBM per JESD22-A114, 200 V MM per
JESD22-A115 and 1000 V CDM per JESD22-C101
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