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BF-2030W-H6824

产品描述RF MOSFET Transistors RF MOSFETS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小114KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BF-2030W-H6824在线购买

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BF-2030W-H6824概述

RF MOSFET Transistors RF MOSFETS

BF-2030W-H6824规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current40 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage10 V
技术
Technology
Si
Gain23 dB
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-343
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
MouseReel
ConfigurationSingle
Operating Frequency1 GHz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
类型
Type
RF Small Signal MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage6 V

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BF2030...
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
Operating voltage 5V
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
Drain
AGC
RF
Input RG1
VGG
G2
G1
RF Output
+ DC
GND
ESD
(Electrostatic
discharge)
sensitive device, observe handling precaution!
Class 2 (2000V - 4000V) pin to pin
Human Body Model
Type
BF2030
BF2030R
BF2030W
Package
SOT143
SOT143R
SOT343
1= S
1= D
1= D
2=D
2=S
2=S
Pin Configuration
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
Marking
NDs
NDs
NDs
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuous drain current
Gate 1/ gate 2-source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation
T
S
76 °C, BF2030, BF2030R
T
S
94 °C, BF2030W
Storage temperature
Channel temperature
1
Pb-containing
Symbol
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
tot
Value
8
40
10
6
200
200
Unit
V
mA
V
mW
T
stg
T
ch
-55 ... 150
150
°C
package may be available upon special request
1
2007-04-20

BF-2030W-H6824相似产品对比

BF-2030W-H6824 BF-2030R-E6814 BF-2030-E6814
描述 RF MOSFET Transistors RF MOSFETS RF MOSFET Transistors Silicon N Channel MOSFET Tetrode RF MOSFET Transistors Silicon N Channel MOSFET Tetrode
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors RF MOSFET Transistors RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
RoHS Details Details Details
Transistor Polarity N-Channel N-Channel N-Channel
Id - Continuous Drain Current 40 mA 40 mA 40 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 10 V 8 V 8 V
技术
Technology
Si Si Si
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C + 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-343 SOT-143 SOT-143
Configuration Single Single Dual Gate Single Dual Gate
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 mW 200 mW 200 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000 12000 3000
类型
Type
RF Small Signal MOSFET RF Small Signal MOSFET RF Small Signal MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 6 V 6 V 6 V
系列
Packaging
MouseReel Cut Tape Reel
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- - 55 C - 55 C
Channel Mode - Depletion Depletion
高度
Height
- 1 mm 1 mm
长度
Length
- 2.9 mm 2.9 mm
宽度
Width
- 1.3 mm 1.3 mm
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