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IRG6I330U-168P

产品描述IGBT Transistors
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRG6I330U-168P在线购买

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IRG6I330U-168P概述

IGBT Transistors

IRG6I330U-168P规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 30 V
Continuous Collector Current at 25 C28 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
43 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Gate-Emitter Leakage Current+/- 100 nA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

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IGBT Selection Guide
Common IGBT applications and topologies
www.infineon.com/igbt

IRG6I330U-168P相似产品对比

IRG6I330U-168P IRG6IC30U-110P
描述 IGBT Transistors IGBT Transistors
产品种类
Product Category
IGBT Transistors IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
技术
Technology
Si Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3 TO-220-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 330 V 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V 1.92 V
Maximum Gate Emitter Voltage +/- 30 V +/- 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 28 A 25 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
43 W 37 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Gate-Emitter Leakage Current +/- 100 nA +/- 100 nA
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz 0.211644 oz
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