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SI9948AEY-E3

产品描述MOSFET 60V 2.6A 2.4W
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小83KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI9948AEY-E3在线购买

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SI9948AEY-E3概述

MOSFET 60V 2.6A 2.4W

SI9948AEY-E3规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
系列
Packaging
Tube
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100
宽度
Width
3.9 mm
单位重量
Unit Weight
0.006596 oz

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Si9948AEY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
(Ω)
0.17 at V
GS
= - 10 V
0.26 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 2.6
± 2.1
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
D
1
Ordering Information:
Si9948AEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si9948AEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
± 2.6
± 2.2
± 15
-2
2.4
1.7
- 55 to 175
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
93
Maximum
62.5
Unit
°C/W
For SPICE model information via the Worldwide Web:
www.vishay.com/www/product/spice.htm.
Document Number: 70759
S09-1389-Rev. C, 20-Jul-09
www.vishay.com
1

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是否Rohs认证 - 不符合 符合
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code - compliant compliant
峰值回流温度(摄氏度) - 240 NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 NOT SPECIFIED
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